HJT 电池，又称异质结电池，采用 N 型硅片衬底，工艺步骤精简，仅有制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO 薄膜沉积和电极金属化四道工序。得益于 N 型硅衬底以及非晶硅对基底表面缺陷的双重钝化作用，HJT 电池量产效率普遍已在 24% 以上，未来叠加 IBC 和钙钛矿技术，转换效率有望提升至 30% 以上。HJT 电池对 LID 效应免疫，能有效避免 PID 发生，首年衰减仅 1 - 2%，此后每年衰减 0.25%，全生命周期每 W 发电量高出双面 PERC 电池约 1.9% - 2.9%。从投资成本来看，HJT 虽短期成本较高，但中长期降本空间广阔。

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